ความทะเยอทะยานของ Samsung ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงกำลังเผชิญความท้าทายครั้งใหญ่ เมื่อรายงานล่าสุดเปิดเผยว่าอัตราผลผลิต (yield rate) ของเทคโนโลยีกระบวนการผลิต 3nm Gate-All-Around (GAA) ต่ำกว่าเป้าที่วางไว้ แม้จะเป็นผู้บุกเบิกรายแรกที่นำเทคโนโลยีนี้ออกสู่ตลาด แต่บริษัทเทคโนโลยียักษ์ใหญ่จากเกาหลีรายนี้กลับประสบปัญหาในการบรรลุเป้าหมายการผลิต ซึ่งอาจส่งผลกระทบต่อความสามารถในการแข่งขันในธุรกิจโรงงานผลิตชิป
ประสิทธิภาพการผลิตในปัจจุบัน
กระบวนการผลิต 3nm GAA รุ่นแรกของ Samsung หรือที่รู้จักในชื่อ SF3E-3GAE สามารถทำอัตราผลผลิตได้ระหว่าง 50-60% แม้จะเป็นการพัฒนาที่ดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ แต่ก็ยังต่ำกว่าเป้าหมาย 70% ที่บริษัทตั้งไว้ และที่น่ากังวลยิ่งกว่าคือผลการดำเนินงานของกระบวนการผลิตรุ่นที่สอง ซึ่งทำได้เพียง 20% เท่านั้น ต่ำกว่าหนึ่งในสามของเป้าหมายที่วางไว้
ผลกระทบต่อความสัมพันธ์กับลูกค้า
อัตราผลผลิตที่ต่ำกว่าเป้าหมายนี้เริ่มส่งผลกระทบต่อความสัมพันธ์ทางธุรกิจของ Samsung แล้ว โดย Qualcomm ผู้เล่นสำคัญในอุตสาหกรรมได้เลือกที่จะผลิต Snapdragon 8 Elite กับกระบวนการผลิต 3nm N3E ของ TSMC แทน แม้แต่บริษัทในเกาหลีใต้ที่มักจะจงรักภักดีต่อ Samsung ก็เริ่มย้ายคำสั่งผลิตไปยัง TSMC ที่มีกระบวนการผลิตที่เสถียรกว่า
การปรับกลยุทธ์สู่การพัฒนา 2nm
เพื่อรับมือกับความท้าทายเหล่านี้ Samsung ดูเหมือนจะกำลังปรับเปลี่ยนทรัพยากรไปสู่การพัฒนาเทคโนโลยีในอนาคต บริษัทกำลังพัฒนาชิปเซ็ต Exynos รุ่นใหม่รหัส 'Ulysses' โดยใช้เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 2nm (SF2P) ที่กำลังจะมาถึง คาดว่าชิปนี้จะเปิดตัวใน Galaxy S27 series ที่มีกำหนดวางจำหน่ายในปี 2027 สะท้อนให้เห็นถึงกลยุทธ์ระยะยาวในการก้าวข้ามอุปสรรคทางเทคโนโลยีในปัจจุบัน
 |
|---|
| ภาพอนาคตของ Samsung: ชิป Exynos แสดงให้เห็นถึงการปรับเปลี่ยนกลยุทธ์ของบริษัทเพื่อก้าวข้ามความท้าทายในปัจจุบัน |
ผลกระทบต่ออุตสาหกรรม
ปัญหาเรื่องอัตราผลผลิตของกระบวนการผลิต 3nm นำมาสู่คำถามสำคัญเกี่ยวกับความสามารถในการแข่งขันของ Samsung ในตลาดการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง แม้บริษัทจะยังคงรักษาตำแหน่งผู้บุกเบิกในการนำเสนอกระบวนการผลิตใหม่ๆ แต่การนำเทคโนโลยีเหล่านี้ไปใช้งานจริงและการทำให้เป็นเชิงพาณิชย์ยังคงเป็นอุปสรรคที่ท้าทายที่ต้องเอาชนะให้ได้